晶合集成申请半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法专利，避免了半导体衬底被光刻胶污染_资讯

晶合集成申请半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法专利，避免了半导体衬底被光刻胶污染

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2026-04-04 07:49:20

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法”的专利，公开号CN121793655A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法，属于半导体领域，在半导体衬底上依次沉积缓冲层和硬质掩模；通过刻蚀形成两种不同大小窗口的硬质掩模图案；沉积阶梯覆盖材料，仅将小窗口封闭；采用选择性刻蚀工艺去除水平方向的阶梯覆盖材料打开大窗口内底部形成刻蚀窗；通过刻蚀窗刻蚀掉缓冲层，并使得大窗口处剩余的缓冲层与硬质掩模图案对齐；去除剩余阶梯覆盖材料后得到硬质掩模图案；以硬质掩模图案作为掩模进行选择性刻蚀，得到大沟槽和小沟槽；填充隔离材料后得到两种不同尺寸STI的双沟槽隔离结构。本发明仅采用一道光罩完成了两种尺寸STI的制备，节省了成本，并且避免了半导体衬底被光刻胶污染。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1585条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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