健思研取得无泄漏电流半导体继电器专利，几乎实现了无泄漏电流的目标_资讯

健思研取得无泄漏电流半导体继电器专利，几乎实现了无泄漏电流的目标

创始人

2026-04-04 07:18:44

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市健思研科技有限公司取得一项名为“无泄漏电流半导体继电器”的专利，授权公告号CN224083520U，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本实用新型涉及继电器的技术领域，公开了无泄漏电流半导体继电器，包括半导体开关G、机械开关K1以及机械开关K2,所述机械开关K1的一端与电源电连接，所述机械开关K1的另一端与机械开关K2的一端电连接，所述机械开关K2的另一端用于与负载电路电连接，所述半导体开关G与所述机械开关K1并联。实现了无泄漏电流和低损耗的开关操作，避免了拉弧现象，延长了继电器的使用寿命，确保无电流通过机械继电器，避免了拉弧和电压尖峰。通过半导体开关的快速开关特性和分步操作逻辑，显著降低了关闭状态下的泄漏电流，几乎实现了无泄漏电流的目标，减少了发热源，简化了散热设计，提高了器件的热管理效率。

天眼查资料显示，深圳市健思研科技有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本1010万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市健思研科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业继电器电流投资泄漏目标开关机械导体专利半导体

上一篇：京东方华灿光电申请改善静电释放的发光二极管及其制备方法专利，提升发光二极管的可靠性

下一篇：西安聚能超导取得基于虚拟电感的MRI磁体励磁退磁方法专利

健思研取得无泄漏电流半导体继电器专利，几乎实现了无泄漏电流的目标

相关内容

热门资讯