晶艺半导体申请垂直JFET器件及其制备方法专利，该器件可靠性高_资讯

晶艺半导体申请垂直JFET器件及其制备方法专利，该器件可靠性高

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2026-04-01 21:52:06

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国家知识产权局信息显示，晶艺半导体有限公司申请一项名为“垂直JFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121772295A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种宽禁带材料的垂直JFET器件及其制备方法。器件包括：元胞区沟槽；元胞区平台；多个过渡区沟槽；多个过渡区平台；源区，形成于元胞区平台的顶部；栅区，元胞区栅区形成于元胞区沟槽侧壁和底部的外延层中，过渡区栅区形成在过渡区沟槽侧壁和底部的外延层中；源极金属，覆盖于源区顶部；栅极金属，元胞区栅极金属覆盖于元胞区沟槽底部，过渡区栅极第一金属覆盖于过渡区沟槽底部；元胞区栅极金属和过渡区栅极第一金属在沟槽底部形成互联；过渡区栅极第二接触金属覆盖于过渡区平台顶部并浮空设置。该器件可靠性高，刻蚀难度低，栅极覆盖连续性好。

天眼查资料显示，晶艺半导体有限公司，成立于2019年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5002.7596万人民币。通过天眼查大数据分析，晶艺半导体有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示栅极投资沟槽器件晶艺导体专利底部过渡区元胞区

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