上海集成电路研发中心申请图像传感器结构及其制作方法专利，能明显提高短波段的进光量和量子效率_资讯

上海集成电路研发中心申请图像传感器结构及其制作方法专利，能明显提高短波段的进光量和量子效率

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2026-04-01 19:57:39

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种图像传感器结构及其制作方法”的专利，公开号CN121772372A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，包括：感光单元，设于衬底的第一表面，并位于所述衬底中；金属隔离结构，设于所述衬底相对所述第一表面的第二表面，并位于所述感光单元两侧，所述金属隔离结构的底部位于所述衬底中，所述金属隔离结构的顶部突出于所述第二表面；第一介质层，设于所述金属隔离结构以外的所述第二表面上，在远离所述第二表面方向上，所述第一介质层的表面高度低于所述金属隔离结构的顶部高度。本发明能明显提高短波段的进光量和量子效率，并能有效降低入射光串扰，且不会引入额外光刻成本。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目294次，财产线索方面有商标信息107条，专利信息2174条，此外企业还拥有行政许可88个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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