爱思开海力士申请半导体装置专利，提供一种半导体装置_资讯

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2026-04-01 05:54:25

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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121752070A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本文提供了一种半导体装置。半导体装置包括：晶圆，其在第一方向和第二方向上的平面中延伸；在晶圆的表面上方在第三方向上依次层叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；多个下游标图案，其设置在第一绝缘层和第二绝缘层中；以及多个虚设图案，其设置在第三绝缘层中。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

图案显示市场投资方向方在第装置导体绝缘层专利半导体晶圆

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