迈驰半导体取得双向ESD保护器件专利，有效提高浪涌保护能力_资讯

迈驰半导体取得双向ESD保护器件专利，有效提高浪涌保护能力

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2026-03-28 01:46:02

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国家知识产权局信息显示，西安迈驰半导体科技有限公司取得一项名为“一种双向ESD保护器件”的专利，授权公告号CN224054696U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型涉及ESD保护器件，具体涉及一种双向ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底的上下表面上均设有P+扩区，P+扩区和P型衬底的表面上设有第一N+扩区；位于P型衬底的上下表面上的第一N+扩区的位置对称；所述P+扩区上设有第二N+扩区；所述P+扩区上和第二N+扩区上设有氧化层，位于P型衬底上表面上的氧化层顶部设有正极金属层，位于P型衬底下表面上的氧化层底部设有负极金属层；正极金属层的下表面与第一N+扩区、P+扩区、第二N+扩区接触；负极金属层的上表面与第一N+扩区、P+扩区、第二N+扩区接触。本实用新型能够在保障小型化封装的同时，有效提高浪涌保护能力。

天眼查资料显示，西安迈驰半导体科技有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，西安迈驰半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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