安徽晶微科技申请去除半导体刻蚀残留物方法专利，提高产品良率_资讯

安徽晶微科技申请去除半导体刻蚀残留物方法专利，提高产品良率

创始人

2026-03-20 00:19:10

0次

国家知识产权局信息显示，安徽晶微科技有限公司申请一项名为“一种去除半导体刻蚀残留物的方法”的专利，公开号CN121693026A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种去除半导体刻蚀残留物的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上沉积膜层，得到基片；步骤2：对基片依次进行涂胶、曝光及显影，得到带有光刻胶图形的基片；步骤3：将带有光刻胶图形的基片置入等离子体刻蚀机中进行预处理；其中，预处理的气体为氮气和氧气，氮气和氧气的流量比为2:1~4:1；步骤4：对预处理后的基片进行干法刻蚀；步骤5：对干法刻蚀后的基片进行湿法去胶和清洗，得到成片。此方法通过在光刻胶显影后，干法刻蚀前采用氮氧等离子体对基片进行预处理刻蚀，能在刻蚀前预先清除残留物来源并形成保护层，确保干法刻蚀后湿法去胶能够完全清除残留物，提高产品良率。

天眼查资料显示，安徽晶微科技有限公司，成立于2025年，位于滁州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽晶微科技有限公司专利信息32条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法科技进行步骤基片良率残留物导体专利安徽半导体干法光刻胶

上一篇：三星电子计划2026年向AI半导体领域投资逾110万亿韩元

下一篇：半导体板块3月19日跌2.57%，恒烁股份领跌，主力资金净流出71.3亿元

安徽晶微科技申请去除半导体刻蚀残留物方法专利，提高产品良率

相关内容

热门资讯