曦智科技申请半导体装置及其制造方法专利，提升半导体装置性能_资讯

曦智科技申请半导体装置及其制造方法专利，提升半导体装置性能

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2026-03-20 00:16:48

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国家知识产权局信息显示，上海曦智科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法、光子集成电路芯片和光子计算设备”的专利，公开号CN121679805A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开提供了性能提升的半导体装置及其制造方法、光子集成电路芯片和光子计算设备。所述方法包括以下步骤：提供一具有硅层的衬底；对所述硅层进行图形化以形成硅波导，并在所述硅波导的顶部保留研磨停止层；形成第一氧化硅层以包覆所述硅波导及所述研磨停止层；以所述研磨停止层为停止位，对所述第一氧化硅层进行第一次化学机械研磨；在与边缘耦合器对应的衬底区域形成预定深度的沟槽；填充第二氧化硅层至所述沟槽；再次以所述研磨停止层为停止位，对所述第二氧化硅层进行第二次化学机械研磨。

天眼查资料显示，上海曦智科技股份有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7817.2882万人民币。通过天眼查大数据分析，上海曦智科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息95条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造显示投资上海曦智装置导体光子专利硅层半导体衬底硅波导

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