上海华力申请具有金属层内电容的芯片专利，金属电容的可重复性好_资讯

上海华力申请具有金属层内电容的芯片专利，金属电容的可重复性好

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2026-03-13 11:55:17

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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“具有金属层内电容的芯片”的专利，公开号CN121645996A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有金属层内电容的芯片，其包括至少二个具有同样功能和同样电容值要求的金属电容区域；每一个金属电容区域，在衬底有源区上由下到上依次形成有栅氧化层、栅极金属层、高阻层及电容金属层；有源区、栅氧化层、栅极金属层的竖向投影位于高阻层的竖向投影内；所述高阻层同栅极金属层及电容金属层之间形成有绝缘介质层；高阻层的电阻率大于栅极金属层的电阻率；高阻层的电阻率大于电容金属层的电阻率。本发明的具有金属层内电容的芯片中的金属电容的可重复性好，并且改善了金属层内电容施加高电压时的寄生电容的均匀性。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2771条，此外企业还拥有行政许可399个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示栅极投资上海芯片电容电阻率金属层专利有源区高阻层

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