真芯半导体取得浅沟槽隔离区域和DRAM制造方法专利
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2026-03-10 22:10:59
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国家知识产权局信息显示,真芯(北京)半导体有限责任公司取得一项名为“一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法”的专利,授权公告号CN115206870B,申请日期为2021年4月。

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