美光科技申请具有双极半导体沟道的存储器架构专利，用于存储电荷、偶极极化或其组合
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2026-05-14 04:28:00
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“具有双极半导体沟道的存储器架构”的专利，公开号CN122028433A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请案涉及具有双极半导体沟道的存储器架构。存储器装置可包含：多个导体，其各自与存储器阵列的相应激活线相关联；及支柱，其延伸穿过所述导体。所述支柱可包含沿着所述支柱的长度延伸且与沿着所述支柱的所述长度的双极沟道相关联的半导体材料。所述存储器装置还可包含各自包含一或多个存储材料的多个存储部分(例如，用于存储电荷、偶极极化或其组合)。每一存储部分可与所述存储器阵列的相应存储器单元相关联且可沿着所述支柱的所述长度定位于所述导体中的相应者与所述半导体材料的相应部分之间。
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来源：市场资讯
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