上海华力申请静电释放防护结构及其制造方法专利，显著改善了器件的电流均匀性_资讯

上海华力申请静电释放防护结构及其制造方法专利，显著改善了器件的电流均匀性

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2026-03-07 18:56:56

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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“静电释放防护结构及其制造方法”的专利，公开号CN121620217A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种静电释放防护结构及其制造方法。该结构包括衬底、设置在衬底上的埋氧层、设置在埋氧层上的有源区以及横跨有源区的栅极结构。在有源区内设置有至少一个浅层隔离区，该浅层隔离区沿栅极结构的宽度方向延伸，将有源区在宽度方向上分隔为至少两个子有源区。本发明的制造方法通过在标准器件隔离区形成后，利用有源区上的介质层为掩模，对硅层进行浅层刻蚀并在槽内形成隔离介质。本发明通过在器件内部引入浅层隔离区，有效调整了ESD电流的分布路径，使电流在泄放时更均匀地分配到各个子有源区，避免了电流集中和局部过热，显著改善了器件的电流均匀性，从而在不显著增加工艺复杂度的前提下，提升了FDSOI器件的静电防护能力和可靠性。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2765条，此外企业还拥有行政许可397个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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