国家知识产权局信息显示,北京知识产权运营管理有限公司;北京大学申请一项名为“静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备”的专利,公开号CN121619855A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本申请提供了一种静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备,静态随机存取存储器单元包括:第一上拉晶体管和第二上拉晶体管;第一下拉晶体管和第二下拉晶体管;第一传输晶体管和第二传输晶体管;设置在SRAM单元的背面的第一电源轨和第二电源轨;在垂直方向上,第一电源轨的位置对应于第一上拉晶体管和第二上拉晶体管,第一电源轨通过背面源漏接触金属与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管电连接;第二电源轨的位置对应于第一下拉晶体管和第二下拉晶体管,第二电源轨通过背面源漏接触金属与第一下拉晶体管和第二下拉晶体管电连接。通过本申请,降低SRAM单元的单元高度,实现SRAM单元的高密度集成。
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来源:市场资讯