乾照半导体申请LED芯片及其制作方法专利，提高LED芯片的发光效率_资讯

乾照半导体申请LED芯片及其制作方法专利，提高LED芯片的发光效率

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2026-03-06 21:23:47

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国家知识产权局信息显示，江西乾照半导体科技有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制作方法”的专利，公开号CN121620018A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种LED芯片及其制作方法，通过设置LED芯片的堆叠结构至少包括依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，第一型半导体层背离有源区的一侧为LED芯片的出光面，并在第一型半导体层中设有第一型电流扩展层，其中，第一型电流扩展层内设有图案化的晶格畸变结构，晶格畸变结构的电阻值大于第一型电流扩展层其他区域的电阻值，且两者的电阻值呈周期性高低分布，利用电阻差异形成电流引导路径，使载流子横向绕行,可用于引导电流横向扩展，解决电极下方电流拥挤，可在不增加电极区域面积占比情况下提升非电极区域的发光效率，提高LED芯片的发光效率，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。

天眼查资料显示，江西乾照半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

乾照企业显示电流投资芯片导体电阻值专利区域有源区半导体层

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