光达创新申请含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件及图像传感器专利，通过开口部与信号读出电极欧姆接触_资讯

光达创新申请含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件及图像传感器专利，通过开口部与信号读出电极欧姆接触

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2026-03-06 17:53:37

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国家知识产权局信息显示，广州光达创新科技有限公司申请一项名为“一种含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件及图像传感器”的专利，公开号CN121619982A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件以及图像传感器，其中感光像素元件包括：衬底；电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极；介电层，其覆盖在电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极三者上方，且设有开口部；单层或双层的P型薄膜半导体层，位于介电层上方且通过开口部与信号读出电极欧姆接触；光电转换层，位于P型薄膜半导体层上方；顶电极，位于光电转换层的上方，且与所述电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极相对布置。

天眼查资料显示，广州光达创新科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2410.714万人民币。通过天眼查大数据分析，广州光达创新科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电极投资感光传输元件图像传感器信号专利图像传感器开口部电荷

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