晶丰芯驰申请SiC基GaN外延结构及其制备方法专利，具备较高的击穿电压
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2026-03-05 09:44:49
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国家知识产权局信息显示，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司申请一项名为“一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件”的专利，公开号CN121604732A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件，具体涉及半导体领域，所述SiC基GaN外延结构包括：依次设置于衬底上的GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层；所述衬底包括：掺Fe‑SiC半绝缘衬底。本发明提供的SiC基GaN外延结构，通过在衬底内掺入Fe使得衬底为半绝缘衬底，即可不设置高阻层实现SiC基GaN外延结构的优化，使得所得外延结构能够避免漏电即在高电压击穿，具备较高的击穿电压，同时具备良好的散热效果。
天眼查资料显示，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司专利信息19条。
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来源：市场资讯
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