铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，提升了电荷储存层结构的稳定性
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2026-03-04 17:20:27
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121604427A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，根据一个实施方式，半导体装置具备：层叠膜，其包含在第一方向上交替设置的多个第一绝缘膜和多个电极层；以及多个柱状部，其在所述层叠膜内沿所述第一方向延伸。所述多个柱状部中的第一柱状部包含：第二绝缘膜，其设置在所述多个第一绝缘膜及所述多个电极层的侧面，包含金属元素；第三绝缘膜，其设置在所述第二绝缘膜的侧面，包含硅；电荷储存层，其设置在所述第三绝缘膜的侧面；第四绝缘膜，其设置在所述电荷储存层的侧面；以及半导体层，其设置在所述第四绝缘膜的侧面。
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来源：市场资讯
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