铠侠申请半导体装置及其制造方法专利,提升了电荷储存层结构的稳定性
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2026-03-04 17:20:27
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国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN121604427A,申请日期为2025年2月。

专利摘要显示,根据一个实施方式,半导体装置具备:层叠膜,其包含在第一方向上交替设置的多个第一绝缘膜和多个电极层;以及多个柱状部,其在所述层叠膜内沿所述第一方向延伸。所述多个柱状部中的第一柱状部包含:第二绝缘膜,其设置在所述多个第一绝缘膜及所述多个电极层的侧面,包含金属元素;第三绝缘膜,其设置在所述第二绝缘膜的侧面,包含硅;电荷储存层,其设置在所述第三绝缘膜的侧面;第四绝缘膜,其设置在所述电荷储存层的侧面;以及半导体层,其设置在所述第四绝缘膜的侧面。

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来源:市场资讯

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