截至3月4日10点11分，上证指数跌0.59%，深证成指涨0.37%，创业板指跌0.12%。电网设备、柔性直流输电、小金属等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片设计ETF易方达（589030）涨1.53%，成分股佰维存储（688525.SH）涨停，普冉股份（688766.SH）涨超5%，东芯股份（688110.SH）、聚辰股份（688123.SH）、澜起科技（688008.SH）、中微半导（688380.SH）、联芸科技（688449.SH）、成都华微（688709.SH）、国芯科技（688262.SH）、康希通信（688653.SH）等上涨。

消息面上，无锡新洁能股份有限公司宣布将对MOSFET产品涨价10%起，并于3月1日起生效。近期A股多家半导体产业链公司发出涨价函，行业迎来新一轮全面涨价潮，市场关注度提升。存储芯片市场持续供不应求，客户端反应积极，行业景气度上行。

西部证券表示，英伟达将LPU整合进自身AI芯片体系，展现了专用推理芯片（ASIC/DSA）在生成式AI推理计算中的重要性。这或将印证国产AI芯片通过专业推理架构，在AI推理侧实现性能突破的可能性。AI推理芯片的高速迭代，或将推动单位token计算成本持续下降，促进下游采购需求，有望驱动国产AI芯片实现弹性较大、确定性较高的增长。

大同证券表示，SK海力士追加投资及三星、美光的扩产计划，反映了全球存储芯片巨头正围绕AI需求（特别是HBM）展开新一轮资本竞赛。这预示着未来几年，与AI服务器配套的高端芯片产能可能进入密集扩张期。在这一背景下，上游半导体设备与材料领域的景气度值得留意，特别是那些已进入国际巨头供应链或在国内晶圆厂产线中份额持续提升的国产设备商。同时，英伟达业绩及指引的超预期表现，印证了全球AI算力需求依然强劲，产业链相关核心标的基本面具备较强支撑。

科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数中数字芯片设计权重占比超76%，或充分受益于产业上行趋势。