长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升沟道结构的尺寸均一性_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升沟道结构的尺寸均一性

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2026-03-04 10:15:47

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统”的专利，公开号CN121604425A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升沟道结构的尺寸均一性。半导体结构包括基板、叠层结构和栅极隔离结构。叠层结构包括交替叠置的多个栅线层和多个绝缘层。栅极隔离结构包括依次连接的多个第一子部、第二子部和多个第三子部。第二子部沿第一方向延伸，且沿垂直于基板的方向贯穿多个栅线层和位于多个栅线层之间的绝缘层。多个第一子部沿第一方向间隔分布，且沿垂直于基板的方向延伸至基板内。多个第三子部沿第一方向间隔分布，且沿垂直于基板且远离基板的方向贯穿叠层结构。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1446次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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