长江存储申请半导体结构及其制造方法和存储器系统专利，能够防止半导体结构中的第一金属互连和/或第二金属互连氧化_资讯

长江存储申请半导体结构及其制造方法和存储器系统专利，能够防止半导体结构中的第一金属互连和/或第二金属互连氧化

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2026-03-04 10:14:56

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法和存储器系统”的专利，公开号CN121604432A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法和存储器系统，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括存储单元阵列和第一互连层，第一互连层中包括第一金属互连。第二半导体结构包括外围电路和第二互连层，第二互连层中包括第二金属互连，第二金属互连与外围电路内的晶体管连接。第一金属互连和/或第二金属互连上覆盖有防氧化层，该防氧化层上覆盖有氧化物层。本公开实施例提供的方案通过在第一金属互连和/或第二金属互连上覆盖防氧化物层，能够防止半导体结构中的第一金属互连和/或第二金属互连氧化。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1446次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

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来源：市场资讯

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