长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利，外围电路结构沿第一方向位于半导体结构的一侧并与半导体结构耦接_资讯

长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利，外围电路结构沿第一方向位于半导体结构的一侧并与半导体结构耦接

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2026-03-03 16:42:46

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN121604429A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体结构和外围电路结构，外围电路结构沿第一方向位于半导体结构的一侧并与半导体结构耦接，半导体结构包括存储阵列，外围电路结构包括第一半导体层和电容结构，电容结构包括第一电极层和电极结构，第一电极层沿第一方向位于第一半导体层朝向半导体结构的一侧，电极结构在第一方向上与第一电极层相对设置。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1446次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资方向电路存储导体结构专利电极层器件半导体半导体层

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