南昌硅基半导体科技有限公司申请垂直结构LED芯片及其制备方法专利，提高了垂直结构LED芯片的可靠性_资讯

南昌硅基半导体科技有限公司申请垂直结构LED芯片及其制备方法专利，提高了垂直结构LED芯片的可靠性

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2026-03-03 16:42:09

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国家知识产权局信息显示，南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种垂直结构LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121604571A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，其芯片从下到上依次包括导电基板、键合金属层、反射层、电流阻挡层、外延层和N电极，外延层为台面结构；电流阻挡层由互不相连的中间区域电流阻挡层和边缘区域电流阻挡层组成；中间区域电流阻挡层与N电极在导电基板平面上的垂直投影位置相对应，N电极在导电基板平面上的投影为封闭环形图案，封闭环形图案沿芯片中心的垂直轴线、水平轴线呈镜像对称。有效解决了芯片热应力分布不均、局部应力过大导致芯片裂缝引发漏电的问题，提高了垂直结构LED芯片的可靠性。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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