山东粤海金半导体申请12英寸碳化硅单晶生长方法专利,实现电阻率均匀性突破
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2026-03-03 10:42:53
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国家知识产权局信息显示,山东粤海金半导体科技有限公司;成都粤海金半导体材料有限公司申请一项名为“一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置”的专利,公开号CN121593171A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明涉及单晶生长领域,具体涉及一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置。该方法包括以下步骤:(1)高纯碳化硅粉料准备;(2)装炉与生长腔预处理;(3)分段升温与动态渗氮;(4)生长阶段闭环控氮;(5)程序控冷及单晶生成。本发明通过预设功率调控温度梯度、动态闭环控氮及多参数关联模型,实现电阻率均匀性突破,同时控制缺陷密度,适配12英寸大尺寸需求;通过顶部‑底部‑径向加热区功率预设及装料结构适配使温度梯度控制精度得到充分保障;工艺简化,工艺重复性提升,设备成本降低;通过对加热器和多孔气体分布器的合理布局,为单晶生长方法的实施提供了良好的设备条件。

天眼查资料显示,山东粤海金半导体科技有限公司,成立于2018年,位于东营市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本42500万人民币。通过天眼查大数据分析,山东粤海金半导体科技有限公司参与招投标项目2次,专利信息26条,此外企业还拥有行政许可15个。

成都粤海金半导体材料有限公司,成立于2022年,位于成都市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本19092.9597万人民币。通过天眼查大数据分析,成都粤海金半导体材料有限公司共对外投资了2家企业,财产线索方面有商标信息9条,专利信息24条,此外企业还拥有行政许可1个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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