北京集成电路装备创新中心申请氮化硅薄膜制造方法专利，显著降低薄膜裂纹效应_资讯

北京集成电路装备创新中心申请氮化硅薄膜制造方法专利，显著降低薄膜裂纹效应

创始人

2026-02-27 10:15:20

0次

国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121575371A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备。氮化硅薄膜的制造方法包括：沉积步，向工艺腔室内通入硅源气体和氮源气体，以通过化学气相沉积方法在基体表面沉积氮化硅薄膜；其中，硅源气体与氮源气体的流量比例为0.2~0.5。半导体工艺设备用于实现上述氮化硅薄膜的制造方法。本发明提供的氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备，能够优化沉积得到的氮化硅薄膜的成分，降低氮化硅薄膜的内部应力，显著降低氮化硅薄膜在沉积和后续处理过程中的裂纹效应，有利于提升薄膜的质量和器件的性能。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法创新中心投资降低裂纹薄膜集成电路专利器件半导体氮化硅氮化硅薄膜

上一篇：路维光电申请掩膜版超大缺陷修补专利，修补牢固性强

下一篇：DSOX2002A 示波器故障维修，原厂配件，快速检修

北京集成电路装备创新中心申请氮化硅薄膜制造方法专利，显著降低薄膜裂纹效应

相关内容

热门资讯