甬矽半导体申请5D微凸块封装结构及其制备方法专利，解决芯片在意外断电情况下的短时工作_资讯

甬矽半导体申请5D微凸块封装结构及其制备方法专利，解决芯片在意外断电情况下的短时工作

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2026-02-26 22:16:44

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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D微凸块封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121568594A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明实施例提供了一种2.5D微凸块封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该2.5D微凸块封装结构包括基底芯片、基底布线组合层、基底电池组合层和第一导电凸块，基底电池组合层包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和固态电解质层，固态电解质层被配置为分隔第一电极层和第二电极层，第二电极层与基底布线组合层电连接。相较于现有技术，本发明实施例通过由第一电极层、第二电极层和固态电解质层在基底布线组合层中构成基底电池组合层，形成了储能结构，并且能够在基底芯片通电时充电，并在基底芯片断电时放电，实现了芯片内部储能，解决芯片在意外断电情况下的短时工作，大幅提升芯片效率。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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