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晋华集成电路申请半导体结构的制作方法专利，第二沟槽的深度低于第一沟槽的深度

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2026-02-26 21:42:14

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国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121568389A，申请日期为2022年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法，包含在衬底上依次形成位线材料层和多条位线屏蔽图案，位线屏蔽图案沿第一方向等间隔排列在衬底的存储单元区上并往与第一方向正交的第二方向延伸；在位线屏蔽图案上形成光阻，以光阻和位线屏蔽图案为刻蚀掩膜刻蚀位线材料层，形成多条位线以及位于位线在第一方向上最外侧的虚设位线，位线以及虚设位线往第二方向延伸，位线经由凹槽电性连接到有源区且与该凹槽的侧壁形成第一沟槽，虚设位线在第一方向上的宽度大于位线在第一方向上的宽度，虚设位线与位线具有同样的组成与层结构，部分的该虚设位线位于凹槽中并与有源区电性连接且与该凹槽的侧壁形成第二沟槽，其中，第二沟槽的深度低于第一沟槽的深度。

天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目561次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息1000条，此外企业还拥有行政许可78个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资沟槽方向位线导体凹槽结构专利有源区光阻

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