2月25日，香港特区政府财政司司长陈茂波在立法会发表《2026至2027财政年度政府财政预算案》时宣布，香港微电子研发院第三代半导体芯片技术研发与试产中试线将于2026年内投入运作。

陈茂波同时披露，特区政府“新型工业加速计划”已支持两家专注半导体芯片技术及设备的企业，相关项目总投资超15亿港元；截至目前，该计划累计支持4个项目，总投资约25亿港元，私人投资占比超七成，有效撬动社会资本参与半导体产业发展。

香港微电子研发院于2024年正式成立，是特区政府布局微电子与半导体领域的核心研发平台，而第三代半导体中试线则是其重点建设项目，该中试线的建设聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）两大主流第三代半导体材料，核心目的是补齐香港从实验室研发到小规模试产的关键环节，破解研发成果“落地难”的痛点。

此前2024年7月，香港微电子研发院将设立碳化硅、氮化镓两条中试线，协助初创/中小企业试产、测试与认证。同月首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线启动，该中试线是香港科技园与麻省光子技术合作，投资约2亿港元，聚焦GaN外延片工艺。

本次微电子研发院中试线投运后，将与现有中试线形成互补协同，进一步完善香港第三代半导体中试能力。

全链条布局发力 香港第三代半导体产业稳步前行

近年来，香港将第三代半导体列为国际创新科技中心建设的重点领域，依托自身雄厚的科研优势与持续的政策支持，稳步推进半导体产业全链条布局，以香港微电子研发院为核心，逐步建成多条第三代半导体中试线，其中元朗微电子中心8英寸碳化硅衬底良率已提升至85%，接近国际先进水平，为产业发展提供了坚实的硬件支撑。

特区政府通过“新型工业加速计划”“创新香港研发平台”等一系列专项政策，持续加大对半导体技术研发、设备制造与企业落户的支持力度，不断强化资金与产业的精准对接。

2025年6月25日，香港特区政府创新科技及工业局辖下的创新科技署宣布，#杰立方半导体（香港）有限公司提交的“新型工业加速计划”申请已获评审委员会支持。该项目计划在香港兴建一座第三代半导体碳化硅（SiC）晶圆生产设施。该晶圆厂项目的总预算超过7亿港元，其中新型工业加速计划将提供2亿港元的资助。

如今，香港第三代半导体产业已逐步从研发、中试向设计、设备、应用等环节延伸，成功吸引海内外相关企业集聚，在功率半导体、射频器件等领域形成了自身特色优势，能够有效服务新能源、通信、汽车电子等下游市场，朝着产业化、规模化的方向稳步迈进。

（文/集邦化合物半导体 林晓 整理）

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