宁波领开半导体申请单管结构NOR闪存阵列专利，使面积大幅缩小_资讯

宁波领开半导体申请单管结构NOR闪存阵列专利，使面积大幅缩小

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2026-02-25 19:44:31

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国家知识产权局信息显示，宁波领开半导体技术有限公司申请一项名为“单管结构NOR闪存阵列”的专利，公开号CN121565214A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种单管结构NOR闪存阵列。所述单管结构NOR闪存阵列中，多个存储管在基底上行列排布；每两条局部位线为一组，同一列的存储管对应一组局部位线，存储管的第一源漏端与对应的一组局部位线中的一条连接，第二源漏端与另一条局部位线连接；每条字线连接同一行的存储管的栅极端；其中，单管结构NOR闪存阵列的一个存储单元包括一个存储管，存储管为电荷陷阱型的存储管，这样NOR闪存阵列的存储单元的面积小，阵列的存储密度高；在对所述单管结构NOR闪存阵列进行写入以及擦除操作时，同组的两条局部位线的电压相同，这样数据写入功耗低，同时两条局部位线可以通过选择管在后道金属层合并成一根全局位线，使面积大幅缩小。

天眼查资料显示，宁波领开半导体技术有限公司，成立于2020年，位于宁波市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本515.9091万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波领开半导体技术有限公司共对外投资了2家企业，专利信息15条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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