豪威科技取得用于抑制暗电流的浅沟槽隔离结构及形成方法专利
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2026-02-25 12:44:21
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国家知识产权局信息显示，豪威科技股份有限公司取得一项名为“用于抑制暗电流的浅沟槽隔离（STI）结构及形成方法”的专利，授权公告号CN113223994B，申请日期为2020年9月。
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