晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法”_资讯

晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法”

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2026-02-25 04:42:42

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202511689963.1，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：包括：提供衬底；在衬底上依次形成伪栅材料层、位于伪栅材料层上的硬掩膜层、位于硬掩膜层上的牺牲掩膜层；依次刻蚀牺牲掩膜层、硬掩膜层和伪栅材料层，在衬底上形成多个分立的伪栅、位于伪栅上的硬掩膜图形、位于硬掩膜图形上的牺牲掩膜图形，且牺牲掩膜图形顶面存在不平整，衬底的不同区域上的牺牲掩膜图形的高度不同；去除牺牲掩膜图形，保留伪栅和硬掩膜图形；在伪栅的侧壁表面形成侧墙。本申请方法能防止伪栅顶面两端被过刻蚀。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

方法信息半导体于硬天眼集成图形晶合结构专利衬底掩膜硬掩膜

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