通富微电获得发明专利授权：“半导体器件测试方法及装置、电子设备、存储介质”_资讯

通富微电获得发明专利授权：“半导体器件测试方法及装置、电子设备、存储介质”

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2026-02-25 04:41:37

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示通富微电（002156）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件测试方法及装置、电子设备、存储介质”，专利申请号为CN202210509851.3，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本公开涉及半导体测试技术领域，提供一种半导体器件测试方法及装置、电子设备、存储介质，方法包括：确定动态零件平均测试的判据限值，包括：基于预设的采样方法，获得半导体器件样本；对所述半导体器件样本进行持续可靠性测试；基于未通过所述持续可靠性测试的半导体器件样本，得到所述动态零件平均测试的所述判据限值；基于所述判据限值，对半导体器件进行持续可靠性测试和动态零件平均测试，得到测试结果。本公开不仅实现了在不破坏逻辑的前提下，通过一道测试工序即可同时完成半导体器件的持续可靠性测试和动态零件平均测试，优化了测试流程，提高了测试效率，还使得测试条件更加严格，使最终筛选出的半导体器件品质更高、可靠性更强。

今年以来通富微电新获得专利授权3个，较去年同期增加了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了7.56亿元，同比增12.43%。

通过天眼查大数据分析，通富微电子股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目67次；财产线索方面有商标信息19条，专利信息995条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可55个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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