火炬电子申请贱金属高压多层瓷介电容器及制备方法专利，具有高耐电压优异性能_资讯

火炬电子申请贱金属高压多层瓷介电容器及制备方法专利，具有高耐电压优异性能

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2026-02-24 14:16:05

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国家知识产权局信息显示，福建火炬电子科技股份有限公司申请一项名为“一种贱金属高压多层瓷介电容器及制备方法”的专利，公开号CN121565682A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，一种贱金属高压多层瓷介电容器及制备方法，贱金属高压多层瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下原料：BMYT主基体、NN材料、氧化镁、四氧化三锰、二氧化锆、碳酸钙、碳酸锶、稀土氧化物；本发明通过瓷介电容器的原料组成及制备方法，以使制备的瓷介电容器在高介质厚度（烧前30μm）下具有高介电常数、高耐电压、平稳的介温特性曲线、低损耗、高绝缘电阻以及长期高压可靠性等优异性能。

天眼查资料显示，福建火炬电子科技股份有限公司，成立于2007年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本47556.6631万人民币。通过天眼查大数据分析，福建火炬电子科技股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目628次，财产线索方面有商标信息64条，专利信息446条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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