露西德微系统申请高电子迁移率晶体管及其制造方法专利，在与沟道层的界面处形成二维电子气区域_资讯

露西德微系统申请高电子迁移率晶体管及其制造方法专利，在与沟道层的界面处形成二维电子气区域

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2026-02-24 10:45:31

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国家知识产权局信息显示，露西德微系统私人有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN121569597A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一实施例，提供一种HEMT（high electron mobility transistor），包括：第一漏极端子；栅极端子；第二漏极端子；沟道层，一部分与所述第一漏极端子及所述栅极端子共同形成第一元件，另一部分与所述第二漏极端子及所述栅极端子共同形成第二元件；以及势垒层，包括在所述第一元件内，在与所述沟道层的界面处形成第一二维电子气（Two‑Dimensional Electron Gas，2DEG）区域的第一势垒层，以及在所述第二元件内，在与所述沟道层的界面处形成第二二维电子气区域的第二势垒层，其中，所述第一势垒层与所述第二势垒层的物性不同。

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来源：市场资讯

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