三安光电申请发光二极管及发光器件专利，整体提升出光效率_资讯

三安光电申请发光二极管及发光器件专利，整体提升出光效率

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2026-02-19 10:13:39

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国家知识产权局信息显示，厦门三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光器件”的专利，公开号CN121548162A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管及发光器件，发光二极管的半导体叠层包括自下而上依次堆叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层，半导体叠层形成多个凸台结构，相邻的凸台结构之间为相互交错的间隔区，间隔区的第一半导体层中形成有凹槽结构，间隔区的投影面积之和与第一半导体层的投影面积之比介于0.2~0.5，凹槽结构的投影面积之和与间隔区的投影面积的比介于0.2~1。间隔区的凹槽结构中可以覆盖绝缘层和金属材料。由此调制发光二极管的光场，一方面可以抑制破解侧向光的波导，增加侧向光线的出射，另一方面可以增加朝出光面出射的光线比例，从而整体提升出光效率。

天眼查资料显示，厦门三安光电有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门三安光电有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目45次，专利信息504条，此外企业还拥有行政许可41个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资整体器件半导体三安光电厦门结构专利凸台凹槽半导体层二极管间隔区

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