珠海楠欣半导体申请半导体结构及其制备方法专利，能够减小肖特基二极管对于面积的消耗_资讯

珠海楠欣半导体申请半导体结构及其制备方法专利，能够减小肖特基二极管对于面积的消耗

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2026-02-18 18:42:10

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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备”的专利，公开号CN121548101A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体结构包括：横向扩散金属氧化物半导体器件，以及肖特基二极管；半导体器件包括衬底结构、隔离环结构以及本体结构；隔离环结构，本体结构以及肖特基二极管均形成在衬底结构中；隔离环结构环绕本体结构设置，肖特基二极管寄生形成于隔离环结构中，且肖特基二极管的两端与本体结构电连接。本申请实施例用于提供一种能够减小肖特基二极管对于面积的消耗，且同时能够避免新增的件数连接线造成的弊端的技术方案。

天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息262条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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