华力集成申请半导体互连结构制造方法专利，有效防止短路缺陷提升良率_资讯

华力集成申请半导体互连结构制造方法专利，有效防止短路缺陷提升良率

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2026-02-18 17:12:28

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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体互连结构的制造方法”的专利，公开号CN121548292A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体互连结构的制造方法。该方法包括：提供衬底并在其上形成介电层；在介电层上形成硬掩模层并对其进行图形化，以形成限定金属布线图形的掩模图形；在掩模图形的表面沉积一层抗刻蚀层，该抗刻蚀层的抗刻蚀能力大于硬掩模层的抗刻蚀能力；随后以带有抗刻蚀层的掩模图形为掩模，在介电层中形成沟槽和通孔开口；最后填充导电材料。本发明通过引入高抗刻蚀能力的保护层，有效防止了在一体化(AIO)工艺的通孔刻蚀过程中硬掩模被过度消耗，从而维持了金属布线的隔离间距，避免了短路缺陷，显著拓宽了工艺窗口，提升了产品良率与可靠性。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2708条，此外企业还拥有行政许可397个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法缺陷投资上海掩模良率导体结构专利蚀层通孔模层介电层图形

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