武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利，可减少对电阻层的损伤_资讯

武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利，可减少对电阻层的损伤

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2026-02-18 15:10:53

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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121548296A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基体、介质层、电阻层以及金属间化合物保护层；基体包括器件区和电阻区；介质层覆盖基体；电阻层设置在介质层中，且电阻层至少位于电阻区所对应的区域；金属间化合物保护层设置在介质层中并覆盖电阻层，金属间化合物保护层用于保护电阻层。因此，金属间化合物保护层作为保护层可在通孔刻蚀时表现出较低的刻蚀损耗，以阻止通孔刻蚀过程中穿透电阻层并减少对电阻层的损伤。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1825条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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