遇贤微电子申请封装屏蔽结构设计方法专利，减少半导体封装屏蔽结构的电磁辐射_资讯

遇贤微电子申请封装屏蔽结构设计方法专利，减少半导体封装屏蔽结构的电磁辐射

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2026-02-18 11:42:11

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国家知识产权局信息显示，上海遇贤微电子有限公司申请一项名为“封装屏蔽结构设计方法及半导体封装屏蔽结构”的专利，公开号CN121543536A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种封装屏蔽结构设计方法及半导体封装屏蔽结构，设计方法包括：建立贴片天线的仿真模型，并仿真其场强辐射图以获得贴片天线的辐射频点；观察金属盖内表面在辐射频点的电流分布图，以此开设辅助槽以形成新的贴片天线；建立新的贴片天线的仿真模型并仿真其场强辐射图以获得新的贴片天线的辐射频点；判断贴片天线的辐射频点是否远离半导体组件的主频率，若是则确定当前辅助槽的位置和大小为设计结果输出，若否则调整辅助槽的位置和大小，或者增加新的辅助槽，并重复上述仿真步骤直至贴片天线的辐射频点远离半导体组件的主频率。本发明成本低的前提下减少半导体封装屏蔽结构的电磁辐射，优化EMC性能。

天眼查资料显示，上海遇贤微电子有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海遇贤微电子有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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