常州承芯半导体取得体声波谐振装置专利，提升并联阻抗值及相应Q值_资讯

常州承芯半导体取得体声波谐振装置专利，提升并联阻抗值及相应Q值

创始人

2026-02-18 10:14:53

0次

国家知识产权局信息显示，常州承芯半导体有限公司取得一项名为“体声波谐振装置”的专利，授权公告号CN223928293U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，一种体声波谐振装置，包括：声反射层；第一电极层，其包括第一谐振部、第一衰减部和第一限制部；压电层；第二电极层，其包括第二谐振部；谐振区，谐振区包括第一谐振部、第二谐振部、以及两者之间的压电层；第一介质层，其包括第一介质部和第二介质部；第一负载层，对应第一限制部与第二介质部；谐振区外侧的第一衰减区；第一衰减区外侧的第一限制区；第一负载层边缘与第一介质部边缘之间间距为0.5微米至5微米。一阶横向模态可以先通过第一衰减区而不受影响，然后在第一限制区充分反射回到谐振区，降低横向漏波；进入第一衰减区的高阶横向寄生模态会经历衰减，仅少量甚至没有高阶横向寄生模态进入第一限制区，以此可以提升并联阻抗值及相应Q值。

天眼查资料显示，常州承芯半导体有限公司，成立于2019年，位于常州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本73524.6074万人民币。通过天眼查大数据分析，常州承芯半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息215条，此外企业还拥有行政许可21个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资限制并联声波导体谐振阻抗专利衰减衰减区谐振区介质部第一谐振部模态

上一篇：原创未雨绸缪！中国人不可怕，可怕的是他们囤了ASML 光刻机，却不用来造芯片！

下一篇：基合半导体取得触摸板压力检测装置专利，为触摸板内部结构设置位置的灵活调整提供便利条件

常州承芯半导体取得体声波谐振装置专利，提升并联阻抗值及相应Q值

相关内容

热门资讯