南亚科技申请存储器装置与其制造方法专利，位元线触点与主动区之间具有较大的接触面积
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2026-02-16 21:44:40
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制造方法”的专利，公开号CN121531708A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种存储器装置的制造方法，包括以下步骤：在基板中形成隔离结构以在基板中定义主动区；在隔离结构与主动区之间形成字元线结构，其中字元线结构包括字元线层及沿着字元线层的侧壁与底部且沿主动区的侧壁延伸的栅极介电层；形成覆盖字元线结构、隔离结构及主动区的覆盖层；在覆盖层中形成接触孔以曝露主动区，其中主动区的顶表面凸起；在接触孔中形成位元线触点；及形成与位元线触点电性连接的位元线。本发明的位元线触点与主动区之间具有较大的接触面积，因此可具有较小的电阻。
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