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洪启集成电路申请碳化硅器件离子注入检测方法专利，提升SEM成像的掺杂衬度分辨率

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2026-02-14 21:11:08

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国家知识产权局信息显示，洪启集成电路（珠海）有限公司申请一项名为“一种碳化硅器件离子注入的检测方法”的专利，公开号CN121510932A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅器件离子注入的检测方法，属于半导体技术领域。本发明所述的碳化硅器件离子注入的检测方法，包括以下步骤：S1、表层去层处理；S2、样品制备；S3、低损伤截面研磨；S4、免镀金低压SEM成像。本发明的碳化硅器件离子注入的检测方法，能够消除碳化硅器件表面结构对成像的干扰，实现碳化硅器件截面无损制备，提升SEM成像的掺杂衬度分辨率，以便于观察获取碳化硅器件离子注入的掺杂分布、注入深度、界面质量等信息。

天眼查资料显示，洪启集成电路（珠海）有限公司，成立于2019年，位于珠海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本142.7452万人民币。通过天眼查大数据分析，洪启集成电路（珠海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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