意法半导体申请电压参考带隙电路的启动电路专利，用于生成参考电压的带隙电路的启动电路
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2026-02-14 13:42:23
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“电压参考带隙电路的启动电路”的专利，公开号CN121501079A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及电压参考带隙电路的启动电路。提供了一种用于生成参考电压的带隙电路的启动电路，所述带隙电路的电流镜包括第一MOS晶体管。所述启动电路包括：处于电流镜配置的第二晶体管和第三晶体管，其控制端子通过第一电阻器耦合；以及第四MOS晶体管，位于用于施加供电电压的端子与第二晶体管的控制端子之间，第四MOS晶体管相对于第一MOS晶体管处于电流镜配置。
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