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鲁汶仪器申请半导体结构平坦化方法专利，实现半导体结构表面无明显高度差

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2026-02-13 14:42:38

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国家知识产权局信息显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的平坦化方法”的专利，公开号CN121510883A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的平坦化方法，通过第一离子束刻蚀工艺可以对膜层表面起伏度即第一高度差异进行初步修平。利用第二离子束刻蚀工艺，借助膜层以及结构、密集度差异性，对第二半导体结构的不同区域间重新创造出新的表面起伏度差异，增大高度差，即在表面形成更加明显的凸起和凹陷，以便为全局范围内修平提供高度差异性窗口，利用第三离子束刻蚀工艺再次修平处理，实现全局平坦化，即兼顾局部区域内图形表面平坦，以及全局范围内不同区域之间平坦，使得半导体结构表面无明显高度差。通过离子束刻蚀技术可以实现对半导体结构不同位置间膜层表面差异的控制，减小表面起伏度以及起伏频率，从而消除不同位置间膜层高度差异，实现全局平坦化。

天眼查资料显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本19584.6238万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鲁汶仪器股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目261次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息485条，此外企业还拥有行政许可14个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业全局投资鲁汶仪器表面导体高度结构专利半导体膜层伏度离子束

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