京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，发光二极管包括具有特定凹槽结构的外延结构_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，发光二极管包括具有特定凹槽结构的外延结构

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2026-02-13 10:14:27

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121510739A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构；外延结构具有凹槽结构，凹槽结构包括至少一条臂，臂包括多个第一凹槽和多个第二凹槽，多个第一凹槽和多个第二凹槽交替相连；在第一方向上，第一凹槽在外延结构上的投影的最大宽度，大于第二凹槽在外延结构上的投影的最大宽度；第一方向与第二方向相交，第二方向是臂的延伸方向。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目30次，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可111个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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