2月9日，源杰科技发布公告称，公司拟投资建设光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目，总投资金额约12.51亿元，资金来源为自有资金及自筹资金，项目尚需提交公司股东会审议通过后正式推进。

图片来源：源杰半导体公告截图

据悉，该二期项目选址于陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号，与公司现有基地地理位置衔接，建设周期为18个月，主要建设内容包括新建光芯片生产线、生产厂房及配套设施，聚焦高速光芯片领域，旨在提升公司高端光芯片订单交付的稳定性与响应速度，满足客户在数据中心建设等领域持续提升的产品需求。

值得关注的是，此次投建的光电通讯芯片二期基地，本质上是源杰半导体对化合物半导体业务的进一步加码与深化。

公开资料显示，源杰半导体成立于2013年，2022年登陆科创板，是我国领先的半导体激光器芯片制造商，核心业务聚焦于磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等化合物半导体激光器芯片的研发与生产，构建了从外延生长、芯片制造到封装测试的全产业链能力，也是国家级专精特新“小巨人”企业。

化合物半导体与传统硅基半导体相比，具有高频、高速、耐高温、低功耗等突出优势，是光电通讯芯片的核心支撑材料，其中磷化铟、砷化镓更是光通信领域不可或缺的关键材料——磷化铟主要用于制造高速激光器芯片、探测器芯片，是400G/800G光模块、5G基站光模块的核心组件，而砷化镓则广泛应用于中低速光芯片及激光雷达芯片领域。

源杰半导体此次投建的二期基地，将延续其核心技术路线，重点推进基于磷化铟等化合物半导体材料的高速光芯片规模化生产，进一步突破外延生长、干法刻蚀等关键工艺瓶颈，提升产品性能与良率，其自主研发的25G DFB激光器芯片已实现波长偏差±3nm、可靠性达100万小时的优异性能，对标国际巨头水平。

从行业层面来看，近年来，随着数字经济、5G通信、人工智能、云计算等产业的快速发展，数据中心建设加速推进，光模块向高速率、高带宽升级，带动高速光芯片需求持续爆发，而化合物半导体作为高速光芯片的核心载体，市场规模呈现快速增长态势，成为半导体产业升级的核心赛道之一。

（文/集邦化合物半导体整理）

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