国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121487612A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：形成有介电层的基底，介电层中掩埋有互连结构且暴露互连结构的顶部；第一钝化层，位于介电层上，第一钝化层中具有暴露互连结构的窗口；焊垫，位于窗口中并覆盖互连结构；应力缓冲结构，位于窗口中，应力缓冲结构包括第一应力缓冲结构和第二应力缓冲结构中的一者或两者；其中，第一应力缓冲结构位于焊垫的侧壁上，第二应力缓冲结构凸立于窗口底部并被焊垫覆盖。本发明实施例在焊垫对应材料受温度变化而形变时，应力缓冲结构起到抗形变的作用，从而有利于降低焊垫对应材料发生晶界滑移的概率，相应也降低了焊垫的电阻增大的概率，还有利于降低焊垫出现裂纹的概率，进而有利于提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯