晶合集成申请沟槽结构制备方法专利，获得无电荷损伤的高深宽比的沟槽结构_资讯

晶合集成申请沟槽结构制备方法专利，获得无电荷损伤的高深宽比的沟槽结构

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2026-02-11 12:14:53

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“沟槽结构的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN121487513A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供一种沟槽结构的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：在基底形成暴露沟槽刻蚀区域的掩膜层；在沟槽刻蚀区域，对基底进行N轮次刻蚀工艺以形成沟槽，N＞1，每轮次刻蚀工艺包括：对基底进行氧化处理，得到位于沟槽刻蚀区域内的氧化层；进行至少一次刻蚀处理，刻蚀处理包括：以预设喷射速度按照沟槽深度方向喷射刻蚀气体，使得氧化层在第一环境下与刻蚀气体发生吸附反应而形成反应层，将第一环境调整为第二环境以使得反应层发生脱附反应而被去除；其中，第n轮次刻蚀中的刻蚀气体喷射速度大于第(n‑1)轮次中的刻蚀气体喷射速度，n=2,…,N。该制备方法可有效避免暗电流，获得无电荷损伤的高深宽比的沟槽结构。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1627条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资沟槽合肥损伤电荷晶合结构专利基底气体氧化层暴露沟槽

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