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广立微获得发明专利授权：“保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统”

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2026-02-11 03:42:08

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统”，专利申请号为CN202210746196.3，授权日为2026年2月10日。

专利摘要：本发明提供保护二极管的识别方法，包括：获取版图，识别出源漏掺杂区；识别出与所述源漏掺杂区有接触并且与除所述源漏掺杂区外的有源区没有接触和与栅极连接线没有接触的有源区连接线，即保护二极管的引脚；通过识别出所述保护二极管的引脚实现对保护二极管的识别。可以自动快速地为避免天线效应提供可选保护二极管。本发明还提供的绕线方法通过本发明的保护二极管的识别方法得到保护二极管的引脚，可自动连接到晶体管的栅极，从而保护栅极。本发明的测试芯片设计方法对于晶体管型的目标对象，利用本发明的绕线方法，可自动快速添加保护二极管，进一步提高了设计效率。本发明的测试芯片设计方法、系统、测试芯片具有相应优势。

今年以来广立微新获得专利授权4个，较去年同期减少了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了1.44亿元，同比增9.1%。

通过天眼查大数据分析，杭州广立微电子股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目49次；财产线索方面有商标信息135条，专利信息257条，著作权信息93条；此外企业还拥有行政许可57个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

方法设计广立微识别绕线测试芯片保护专利二极管栅极有源区

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