新存科技申请相变存储单元和存储器专利，能够增加初始电阻降低瞬发电流_资讯

新存科技申请相变存储单元和存储器专利，能够增加初始电阻降低瞬发电流

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2026-02-09 13:41:07

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种相变存储单元和存储器”的专利，公开号CN121487498A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种相变存储单元和存储器，相变存储单元包括沿第三方向依次堆叠的衬底、第一地址线材料层、选通材料层、负温度系数电阻层、相变材料层和第二地址线材料层；负温度系数电阻层的电阻值与环境温度呈现负相关，第一地址线材料层沿第一方向延伸；第二地址线材料层沿第二方向延伸，能够增加初始电阻，降低瞬发电流，避免选通材料层损坏。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息207条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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