中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能和良率_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能和良率

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2026-02-07 21:45:43

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121487336A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：沟道凸起部，位于器件区的基底上；隔离层，位于基底上，隔离层包括第一隔离层和位于第一隔离层上的第二隔离层，器件区的第一隔离层覆盖沟道凸起部的部分侧壁，且第一隔离层的致密度高于第二隔离层的致密度，因而第一隔离层比第二隔离层更难被去除，有利于降低第一隔离层的损耗，从而降低基底被暴露的风险，相应降低后续形成的源漏掺杂层形成在沟道凸起部侧部的基底表面的概率，同时，由于第一隔离层覆盖沟道凸起部的部分侧壁，从而降低了沟道凸起部的深宽比，因此降低第二隔离层对沟道凸起部的应力，相应降低沟道凸起部发生弯曲问题的概率，进而提高半导体结构的性能和良率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资降低上海中芯国际隔离良率导体结构专利基底半导体沟道中芯隔离层

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